- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/30 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 41/30
Brevets de cette classe: 142
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
49 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
11 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
11 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
11 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
9 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
5 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
4 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
4 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
3 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
3 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
3 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
3 |
| Toshiba Corporation | 12017 |
2 |
| Cypress Semiconductor Corporation | 1642 |
2 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
2 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
2 |
| Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation | 183 |
2 |
| Korea Institute of Science and Technology | 2022 |
1 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 461 |
1 |
| Besang, Inc. | 17 |
1 |
| Autres propriétaires | 13 |